Керамика од силицијум карбид (SiC) има одлични својства, како што се силна отпорност на оксидација, добра отпорност на абразија, висока тврдина, добра термална стабилност, висока јачина на температура, мал коефициент на термална експанзија, висока термална проводливост, отпорност на термален шок и отпорност на хемиска корозија. Поради тоа, таа покажа свои таленти во областите на нафта, хемиска индустрија, машини, воздушни сили, нуклеарна енергија итн., и на луѓето им се обрнува сè поголемо внимание. На пример, SiC керамиката може да се користи како разновидни лежишта, топки, млазници, заптивки, алатки за сечење, перки на гасни турбини, ротори на турбо-пумпи, рефлекторни екрани и обвивки на ракетни горива, помеѓу другото.
The excellent properties of SiC ceramics are closely related to their unique structure. SiC is a compound with strong covalent bonds, and the ionicity of Si-C bonds in SiC is only about 12%. Therefore, SiC has high strength, large elastic modulus, and excellent wear resistance. Pure SiC will not be attacked by acid solutions such as HCl, HNO3, H2SO4 and HF, and alkaline solutions such as NaOH. It is easy to oxidize when heated in air, but the SiO2 formed on the surface during oxidation will inhibit the further diffusion of oxygen, so the oxidation rate is not high. In terms of electrical properties, SiC is semiconducting, and the introduction of a small amount of Нечистотиите ќе покажат добра спроводливост . Покрај тоа, SIC има одлична термичка спроводливост {{12}
Sic има две кристални форми, и . кристалната структура на -sic е кубна, а Si и C, соодветно, формираат кубна решетка во центарот на лицето; -SiC has more than 100 polytypes such as 4H, 15R, and 6H, among which the 6H polytype is used in industrial applications. The most common one. There is a certain thermal stability relationship among the various types of SiC. When the temperature is lower than 1600℃, SiC exists in the form of -Sic . Кога температурата е повисока од 1600 степени, -sic полека се трансформира во различни политипови на -sic . 4 h -sic е лесно да се формира околу 2000 степени; Политипите 15R и 6H се лесни за формирање на висока температура над 2100 степени; for 6H-SiC, even if the temperature exceeds 2200℃, it is very stable. The free energy difference between various polytypes in SiC is very small. Therefore, the solid solution of trace impurities can also cause changes in the thermal stability relationship between polytypes.
