Silicon carbide (SiC) ceramics have excellent characteristics such as strong oxidation resistance, good wear resistance, high hardness, good thermal stability, high temperature strength, small coefficient of thermal expansion, high thermal conductivity, thermal shock resistance and chemical corrosion resistance. Therefore, it has already played a great role in petroleum, chemical industry, machinery, aerospace, nuclear energy and other полиња, и се повеќе се вреднуваат од луѓето . На пример, SIC керамиката може да се користи како разни лежишта, топки, млазници, заптивки, алатки за сечење, гасни турбини, ротори на турбо полнач, рефлексивни екрани и ракетни согорувања на комори за согорување .
The excellent properties of SiC ceramics are closely related to their unique structures. SiC is a compound with strong covalent bond, and the ionicity of Si-C bond in SiC is only about 12%. Therefore, SiC has high strength, large elastic modulus and excellent wear resistance. Pure SiC will not be eroded by acid solutions such as HCl, HNO3, H2SO4 and HF and alkali solutions such as NaOH. Oxidation is easy to occur when heating in air, but SiO2 formed on the surface will inhibit the further diffusion of oxygen during oxidation, so the oxidation rate is not high. In terms of electrical properties, SiC is semiconductor, and the introduction of a small amount of Нечистотиите ќе покажат добра спроводливост . Покрај тоа, SIC има одлична термичка спроводливост {{12}
Sic има и две кристални форми . － Кристалната структура на Sic е кубен систем, а Si и C формираат лице во центарот на кубната решетка, соодветно; － Постојат повеќе од 100 политипови на SIC, како што се 4H, 15R и 6H, меѓу кои 6H политип е најчеста во индустриска апликација . има одредена термичка стабилност врска помеѓу различните форми на Sic {7.} кога температурата е пониска од 1600 степени, Sic － sic exists .}}}}}}}}}}}} {9 － Sic полека се трансформира во － разни политипи на sic . 4 h sic е лесно да се формираат околу 2000 степени; И 15R и 6H политипите се лесни за формирање на висока температура над 2100 степени; За 6H SIC, многу е стабилна дури и ако температурата надминува 2200 степени . разликата помеѓу слободните енергии на различните политипи во Sic е многу мала . Затоа, цврстото решение на нечистотиите во трагови ќе предизвика промени во врската со термичка стабилност помеѓу политипите .}}}}}}}}}}}}}}}
